제품

BoronHub Solutions Limited | BoronVertex.com — 반도체 도핑용 6N 결정질 붕소, 붕소 기반 첨단 소재의 모든 스펙트럼을 위한 원스톱 플랫폼.
  • 원소 붕소

    원소 붕소 – 결정질 및 비정질보론허브의 포트폴리오는 원소 붕소를 기반으로 하며, 고순도 결정질 붕소와 비정질 붕소로 나뉘어 각각 다른 산업 분야에 적용됩니다. 고순도 결정질 붕소(4N–6N)β-능면체 구조를 가지며, 회갈색 분말(>500μm) 또는 과립(1–10mm) 형태로 제공되고 순도는 99.99%(4N)에서 99.9999%(6N)까지 다양합니다. 탁월한 화학적 안정성, 모스 경도 9.3, 융점 2076°C, 그리고 반도체 특성을 제공합니다. 실리콘 웨이퍼 도핑, 초경질 소재 합성(예: CBN), 항공우주 합금 및 고에너지 연료에 사용됩니다. 비정질 붕소(2N–3N)α-정방정계 단거리 질서 구조를 가진 짙은 갈색 분말(>500μm)입니다. 화학적으로 반응성이 높아 300°C에서 산화가 시작되고 700°C에서 발화하며, 고농도 알칼리 용액에 용해될 때 수소를 방출합니다. 로켓 추진제, 에어백 점화제, 합금강, 붕소 섬유, 붕소 할로겐화물 및 희토류 붕화물(예: LaB₆) 합성 등에 응용됩니다. 맞춤 설정BoronHub는 순도(2N~6N), 입자 크기(서브마이크론~10mm), 결정 형태(α/β) 등 다양한 요구 사항에 맞춰 제품을 제공합니다. 모든 제품은 알루미늄 호일 백 또는 불활성 가스가 채워진 PTFE 병에 진공 밀봉되어 12개월 동안 보관 가능합니다. 반도체, 원자력, 항공우주, 금속, 정밀화학 산업에 특화된 맞춤형 사양도 제공합니다.
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  • 붕소 동위원소

    붕소는 두 개의 안정 동위 원소를 가지고 있습니다. ¹⁰B와 ¹¹B는 각각 약 19.78%와 80.22%의 자연 존재비를 갖고 있습니다. ¹⁰B는 열중성자 포획 단면적이 매우 높아 원자로 출력 조절 및 비상 정지 시스템과 같은 원자력 발전 분야에서 탁월한 중성자 흡수 물질로 사용됩니다. 반면, ¹¹B는 중성자 흡수율이 매우 낮아 반도체 이온 주입용 핵심 물질로 사용됩니다. BoronHub 제공 상품 고객 사양에 맞춰 맞춤형 농축 수준을 제공하는 다양한 고농도 붕소 동위원소 포트폴리오를 보유하고 있습니다. 동위원소 ¹⁰B는 고순도 및 고농축 입방정 β형 결정으로 존재하며 금속과 쉽게 합금을 형성합니다. 농축 붕산-10은 99.95wt% 이상의 순도를 자랑하며 가압수형 원자로(PWR)에서 용해성 화학적 완충재로 널리 사용됩니다. 농축 삼불화붕소-11은 99.999% 이상의 순도를 가지며 반도체 칩 및 디스플레이 패널 제조에 필수적인 p형 이온 주입 도펀트로 사용됩니다. 모든 제품은 포장됩니다 불활성 차폐 가스로 채워진 PTFE 병에 담겨 제공됩니다. 순도, 동위원소 존재 비율 및 포장 사양을 맞춤 설정할 수 있으며, 원자력, 반도체, 생물의학 및 항공우주를 포함한 첨단 산업 분야를 지원합니다.
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  • 질화붕소

    질화붕소 제품 분류 소개질화붕소(BN)는 매우 다양한 특성을 지닌 고급 기능성 붕소 기반 소재입니다. 보론허브(BoronHub)는 육방정계 질화붕소(h-BN)와 입방정계 질화붕소(CBN)라는 두 가지 핵심 제품 라인을 제공하며, 윤활, 열 관리, 초경질 정밀 가공 등 다양한 고급 산업 분야에 서비스를 제공합니다. 육방정계 질화붕소(h-BN)'백색 흑연'이라는 별칭을 가진 h-BN은 탁월한 고온 윤활성, 높은 열전도율, 우수한 전기 절연성, 화학적 불활성 및 강력한 중성자 흡수 능력을 통합한 순백색 분말입니다. BoronHub는 고순도, 고결정성의 맞춤형 플레이크형 h-BN 분말을 공급하며, 입자 크기는 1μm 미만까지 줄일 수 있습니다. 일반적인 응용 분야로는 고온 이형제, 칩 열 인터페이스 재료, 항공우주용 파장 투과 복합재, 원자력 발전소용 중성자 차폐재, 고급 화장품용 기능성 충전재 등이 있습니다. 입방정 질화붕소(CBN)CBN은 다이아몬드 다음으로 경도가 높은 초경질 소재입니다. 기존 연마재보다 4배 이상 뛰어난 내마모성을 자랑하며, 탁월한 열 안정성과 화학적 불활성을 갖추고 있어 철금속 및 합금의 고정밀 연삭에 매우 적합합니다. BoronHub는 모든 종류의 바인더 시스템과 호환되는 단결정 CBN(HBCBN 시리즈, Ti 경도 지수: 63~76)과 CBN 미세 분말(D50 값이 1.25μm~32μm 범위인 12가지 등급)을 제공합니다. 이 제품들은 CBN 연삭 휠, PCBN 절삭 공구, 자동차 부품 정밀 가공 및 전자 패키징의 열 방출에 널리 사용됩니다. 보론허브는 높은 순도, 탁월한 열 안정성, 다양한 입자 크기 및 유연한 맞춤 제작 서비스를 바탕으로 전 세계 고객에게 포괄적인 질화붕소 소재 솔루션을 제공합니다. 
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  • 탄화붕소

    '검은 다이아몬드'라는 별명으로도 불리는 탄화붕소는 다이아몬드와 입방정질질화붕소(CBN)에 이어 현존하는 세 가지 가장 단단한 물질 중 하나입니다. 탄화붕소는 2.52g/cm³의 매우 낮은 밀도, 2450°C의 높은 융점, 그리고 강산과 강알칼리 모두에 대해 불활성인 뛰어난 화학적 안정성을 특징으로 합니다. 탄화붕소의 핵심적인 장점은 탁월한 중성자 흡수 능력에 있습니다. 붕소 원소는 큰 중성자 포획 단면적을 가지고 있어 장수명 방사성 핵종을 생성하지 않고도 효율적으로 열중성자를 흡수할 수 있습니다. 이러한 특성 덕분에 탄화붕소는 원자로 제어봉, 방사선 차폐재, 사용후핵연료 저장 등에 필수적인 소재로 사용됩니다. 한편, 탄화붕소는 가볍고 강도가 높은 특성 덕분에 방탄복이나 개인 보호구 삽입물과 같은 보호 분야에 널리 사용됩니다. 산업 분야에서는 초경질 연마재로 사용되어 초경합금 및 보석류의 연삭 및 연마에 사용될 뿐만 아니라, 내마모성이 뛰어난 노즐이나 밀봉 링과 같은 정밀 부품 제조에도 사용됩니다. BoronHub는 원자력 산업, 고급 방탄 보호, 정밀 가공 및 내화 재료 등 다양한 응용 분야의 요구 사항을 충족하기 위해 맞춤형 입자 크기를 갖춘 고순도 탄화붕소 분말을 공급합니다. 
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  • 희토류 헥사보라이드

    희토류 헥사보라이드(일반식: REB₆) 세라믹 소재는 입방정계 결정 구조를 가진 기능성 세라믹 소재의 한 종류입니다. 낮은 일함수, 높은 전자 방사율, 높은 융점 및 우수한 열 안정성을 특징으로 하며, 첨단 전자 방출 응용 분야의 핵심 소재로 사용됩니다. BoronHub는 순도 99.9% 이상의 란탄 헥사보라이드(LaB₆)와 세륨 헥사보라이드(CeB₆)라는 두 가지 대표 제품을 제공합니다. 나노분말 및 단결정 과립을 포함한 다양한 형태로 제공됩니다. 란타늄 헥사보라이드(LaB₆)LaB₆는 약 2.5~2.7 eV의 일함수를 가지며, 높은 발광 밝기와 안정적인 빔 전류를 제공합니다. 주사전자현미경(SEM), 투과전자현미경(TEM), 전자빔 리소그래피 시스템 및 입자 가속기에서 선호되는 열음극 소재입니다. 단결정 LaB₆ 음극은 텅스텐 음극보다 10배 이상 높은 밝기를 달성하며, 전자 광학, 항공우주 및 첨단 과학 연구 분야에 널리 사용됩니다. 세륨 헥사보라이드(CeB₆)CeB₆는 탄소 오염에 대한 저항성이 뛰어나며, 수명은 LaB₆보다 50% 더 깁니다. 또한 1700K에서 증발 속도가 낮아 마이크로파관, 전자빔 용접 장비, X선관, 자유전자 레이저와 같이 수명이 길고 안정성이 요구되는 응용 분야에 적합합니다. BoronHub는 맞춤형 입자 크기를 제공하는 고순도 LaB₆ 및 CeB₆를 공급하여 전자 광학, 반도체 장비, 항공 우주 및 최첨단 과학 연구를 포함한 다양한 산업 분야를 완벽하게 지원합니다. 
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  • 전이 금속 보라이드

    전이 금속 붕화물 전이금속황화물(TMB)은 붕소 원자가 마그네슘, 탄탈륨, 니오븀, 크롬과 같은 전이금속 원소와 결합하여 형성된 금속간 화합물입니다. 이 소재는 세라믹의 뛰어난 경도와 높은 융점, 그리고 금속의 우수한 전기 및 열 전도성을 모두 갖추고 있습니다. 일반적으로 초고온 융점(일부는 3000°C 이상), 극한의 경도, 탁월한 내마모성 및 내식성, 고온 화학적 안정성을 특징으로 합니다. TMB는 초전도 기술, 초고온 세라믹(UHTC), 극한 환경 조건에서의 열 보호, 최첨단 전자 기기 등 다양한 전략적 분야에서 중요한 응용 가치를 지닙니다. BoronHub는 아래에 나열된 핵심 전이 금속 붕화물 제품의 연구 개발 및 고순도 맞춤형 제조를 전문으로 합니다.마그네슘 디보라이드(MgB₂) CAS 번호: 12007-25-9; 녹는점: 830 °C; 밀도: 2.57 g/cm³; 결정 구조: 육방정계. 임계 온도가 약 39 K인 실용적인 중온 초전도체입니다. 헬륨을 사용하지 않는 MRI 의료 영상 시스템, 풍력 발전기용 초전도 전선, 초전도 송전선, 고에너지 물리학 전자 부품 등에서 중요한 역할을 합니다. 탄탈륨 디보라이드(TaB₂) CAS 번호: 12007-35-1; 융점: 약 3040 °C; 밀도: 약 12.7 g/cm³. 대표적인 초고온 세라믹(UHTC) 및 초경질 구조재입니다. 매우 높은 융점과 탁월한 내식성을 자랑하며, 극초음속 비행체의 열 보호 시스템, 항공우주 노즐, 그리고 부식성이 매우 강한 극한 환경에서 작동하는 특수 목적 코팅에 널리 사용됩니다. 니오븀이붕화물(NbB₂) CAS 번호: 12007-29-3; 융점: 약 3050 °C; 밀도: 약 6.97 g/cm³. 우수한 고온 안정성, 전기 전도성 및 내식성을 지닌 특수 세라믹 소재입니다. 초고온 복합재료의 강화 첨가제, 극한 환경용 내마모 코팅, 그리고 토목·원자력·에너지 분야의 핵심 구조재료로 널리 사용됩니다. BoronHub는 맞춤형 입자 크기 분포(미크론에서 나노미터 규모까지)를 갖춘 고순도 전이 금속 붕화물 분말과 이에 상응하는 고밀도 소결 부품을 안정적으로 공급할 수 있습니다. 당사는 항공우주, 의료용 초전도, 신에너지 및 최첨단 전자 제품을 포함한 전 세계 하이테크 분야의 제조 요구 사항을 완벽하게 지원합니다. 
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회사 소개

우리는 초고순도 붕소 소재 솔루션의 글로벌 허브로서 붕소의 잠재력을 극대화합니다.

보론허브 솔루션즈 리미티드는 고성능 붕소 기반 신소재의 연구 개발, 맞춤형 제조 및 글로벌 공급을 전문으로 하는 기술 중심 기업입니다. 초고순도 원소 붕소와 맞춤형 붕소 동위원소라는 두 가지 핵심 전략 제품 라인을 중심으로, 육방정계 질화붕소, 입방정계 질화붕소, 탄화붕소, 희토류 육붕화물, 전이금속 붕화물 등 다양한 붕화물을 공급합니다. 핵심 원자재, 기능성 붕화물, 맞춤형 산업 솔루션을 아우르는 완벽한 산업 체인 시스템을 구축하여 반도체, BNCT 핵의학, 민간 원자력 발전, 상업용 항공우주, 신에너지 등 전 세계 고정밀 제조 분야에 서비스를 제공하고 있습니다. 자체 개발 및 완벽하게 제어 가능한 핵심 분리 및 정제 기술을 기반으로, 보론허브는 전 세계 고성능 붕소 소재 분야에서 신뢰할 수 있는 통합 파트너가 되기 위해 노력하고 있습니다.
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기술 문서 다운로드 센터

붕소 제품에 대한 최신 종합 기술 문서 모음(분석증명서, 기술자료명세서, 물질안전자료 및 규정 준수 선언서 포함)을 다운로드하여 검토하실 수 있으며, 이는 구매, 품질 검사 및 안전한 재료 사용을 위한 참고 자료로 활용 가능합니다.
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당사가 서비스를 제공하는 산업 분야

반도체, 민간 원자력 및 항공우주 분야의 첨단 산업을 위한 2N~6N 범위의 맞춤형 붕소 및 맞춤형 동위원소를 제공합니다.

반도체 단결정 실리콘 결정 인발용 초고순도 도펀트

대상 고객: 웨이퍼 제조 업체, 단결정 실리콘 결정 성장 업체, 반도체 장비 제조업체 6N 고순도 결정형 붕소(99.9999%) – 핵심 제품 상세 적용 사례고순도 붕소는 "산업의 비타민"으로 알려져 있으며, 주요 용도는 반도체, 항공우주 및 원자력 발전이라는 세 가지 전략적으로 중요한 산업 분야에 집중되어 있습니다.고순도 실리콘 자체는 ​​절연체 역할을 하므로, 고성능 칩 제조에 필요한 안정적인 반도체 소재로 만들기 위해서는 붕소 도핑이 필수적입니다. 초고순도 6N 결정질 붕소는 초크랄스키(CZ) 및 플로트 존(FZ) 기술을 이용한 단결정 실리콘 잉곳 제조 시 주요 P형 도펀트로 사용되며, 웨이퍼의 저항 균일성과 전하 이동도를 좌우하는 핵심 요소입니다. 극도로 높은 6N 순도는 도핑 과정에서 철이나 구리와 같은 유해한 중금속의 오염을 방지하여, 완성된 웨이퍼의 전기적 성능 일관성과 전하 수송 효율을 직접적으로 결정합니다.붕소 생산에 필요한 정교한 제조 공정과 독점 기술은 한때 반도체 산업 발전을 저해하는 병목 현상이었으며, 국제 제재의 빌미가 되기도 했습니다. 홍콩 및 중국 본토의 유명 대학들과 수년간 공동 연구 개발을 진행한 결과, 6N 결정질 붕소의 독자적인 대량 생산 기술을 완벽하게 확보했습니다. 당사의 제품 기술 사양과 안정적인 공급 능력은 전 세계 반도체 제조업체의 요구 사항을 충분히 충족할 수 있습니다.현재 전 세계 단결정 실리콘 웨이퍼의 85% 이상이 초크랄스키법으로 생산되고 있습니다. P형 실리콘 웨이퍼 제조는 가장 성숙한 공정으로, 고순도 붕소 도펀트에 대한 지속적이고 견고한 수요를 창출하고 있습니다. 6N 결정질 붕소는 로직 칩 및 메모리 장치에 사용되는 실리콘 기판, 전력 반도체(IGBT, MOSFET)용 FZ 단결정 실리콘, 그리고 태양광 발전 응용 분야에 사용되는 P형 단결정 실리콘 웨이퍼의 핵심 도핑 소스로서 필수적인 역할을 합니다. 

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반도체, 첨단 칩 및 3세대 반도체

반도체, 첨단 칩 및 3세대 반도체대상 고객: 웨이퍼 제조 업체(TSMC, SMIC 등), 단결정 실리콘/탄화규소 결정 성장 업체, AI 서버용 열 관리 시스템 제조업체, 반도체 장비 공급업체6N 고순도 결정형 붕소(99.9999%) – 핵심 제품용도: 초크랄스키(CZ) 및 플로트존(FZ) 방법을 이용한 단결정 실리콘 잉곳 제조 시 주요 P형 도핑제로 사용됩니다. 초고순도 6N으로 실리콘 결정 성장 과정에서 철, 구리 등의 유해 중금속 오염을 방지하여 웨이퍼의 균일한 저항률과 전하 이동도를 보장합니다.동위원소 농축 붕소-11 (원소 형태 / 고순도 농축 등급)응용 분야: 3nm 이하의 첨단 공정 노드용 웨이퍼 도핑 및 SiC/GaN 광대역 전력 소자 개질. 붕소-11은 중성자를 흡수하지 않으므로 중성자 조사로 인한 칩 소프트 오류를 ​​효과적으로 제거하고 고성능 AI 칩 및 항공우주 등급 반도체의 방사선 저항성과 신뢰성을 향상시킵니다.농축 삼불화붕소-11(¹¹BF₃) – 새로운 주력 제품응용 분야: 고성능 P형 반도체 제조를 위한 전처리 단계 반도체 제조용 기체상 이온 주입 도핑제 및 첨단 유기 합성용 루이스산 촉매.고순도 나노 스케일 육각형 질화붕소(h-BN)적용 분야: AI 서버 코어 칩용 열 인터페이스 재료(TIM) 열 충전재/열 패드, 고출력 전자 장치용 절연 방열층.입방정 질화붕소(c-BN) 미세분말적용 분야: 탄화규소(SiC)를 포함한 3세대 전력 웨이퍼의 초정밀 연마 및 고급 PCB의 마이크로 드릴용 초경 연마재.란타늄 헥사보라이드(LaB₆)용도: 반도체 에칭 장비의 플라즈마 전자총용 음극 재료, 고성능 진공 코팅 시스템용 전자 방출 소스. 

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생물의학 및 첨단 핵의학(BNCT 종양 치료)

생물의학 및 첨단 핵의학(BNCT 종양 치료)대상 고객: 핵의약품 연구개발 기업, 종양 전문 병원의 BNCT 센터, 생물의학 연구기관붕산-10 강화응용 분야: 붕소 중성자 포획 치료(BNCT)용 종양 치료를 위한 붕소 표적 전달제(예: BPA, BSH)를 합성하며, 이는 붕소 중성자 포획 치료제 의약품의 핵심 원료 물질로 작용합니다.동위원소 농축 붕소-10 (원소/화합물 형태 맞춤 가능)응용 분야: 임상용 BNCT 제제의 핵심 붕소 공급원. 종양 세포 내에 선택적으로 축적되며, 외부 중성자 빔 조사 시 암세포를 정밀하게 파괴합니다.

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원자력 발전, 원자력 산업 및 중성자 차폐

원자력 발전, 원자력 산업 및 중성자 차폐주요 고객: 원자력 발전 설비 제조업체, CGN 및 CNNC 연구소, 반도체 방사선 조사 시설, 핵 검출 장비 공급업체동위원소 농축 붕소-10응용 분야: 원자력 발전소 제어봉 및 방사선 차폐 패널 제작. 열중성자를 효율적으로 포획하여 원자력 발전 출력을 조절하고, 반도체 방사선 조사 공정에 대한 중성자 차폐 기능도 제공합니다.탄화붕소(B₄C)적용 분야: 원자력 발전소의 중성자 차폐 블록 및 원자로 노심 펠릿으로, 중성자 흡수 및 방사선 차폐를 위한 경량 노심 구조 부품으로 사용됩니다.하프늄 디보라이드(HfB₂)용도: 뛰어난 중성자 흡수 능력과 내식성을 결합하여 원자력 발전소 내부의 침식 방지 라이닝 코팅 및 핵연료 보호 피복재로 사용됩니다.농축 삼불화붕소-11(¹¹BF₃) – 새로운 주력 제품응용 분야: 핵 연구 분야의 동위원소 교정, 저간섭 핵 검출 시약, 고성능 중성자 계수기/가스 검출기용 작동 매체.

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항공우주, 특수 추진제 및 국방

항공우주, 특수 추진제 및 국방대상 고객: 항공우주 추진제 연구기관, 고체 로켓 엔진 제조업체, 군용 방탄 장비 제조업체3N 비정질 붕소 분말(99.9%) – 새로운 주력 제품용도: 고체 로켓 추진제, 폭죽 및 점화제용 고에너지 첨가제. 비정질 붕소 분말은 매우 높은 질량 발열량(탄소의 약 두 배)과 낮은 밀도를 특징으로 하며, 로켓과 미사일의 추력과 비추력을 크게 향상시킵니다. 또한 자동차 에어백용 가스 발생기의 핵심 점화제로도 사용됩니다.탄화붕소(B₄C)적용 분야: 개인 병사를 위한 경량 방탄 삽입물과 무장 헬리콥터 및 장갑차용 경량 보호 장갑으로, 초경량과 탁월한 방탄 성능의 균형을 맞춥니다.하프늄 디보라이드(HfB₂)적용 분야: 극초음속 비행체의 날개 앞부분, 로켓 노즐의 목 부분 내피 및 기타 극한 온도 침식 방지 부품용 초고온 열 보호 코팅(UHTC).지르코늄 디보라이드(ZrB₂)적용 분야: 항공기용 고온 단열 코팅, 항공우주 분야용 고온 야금 전극.육방정계 질화붕소(h-BN)적용 분야: 항공우주 차량의 열 보호 및 추진 시스템용 고온 단열재 및 내마모성 구조 부품.

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신에너지 산업 (전력 배터리, 에너지 저장, 알루미늄 전해 및 경량화)

신에너지 산업 (전력 배터리, 에너지 저장, 알루미늄 전해 및 경량화)주요 고객: 주요 리튬 배터리 제조업체, 알루미늄 제련소, 신에너지 자동차 OEM 및 부품 공급업체나노 스케일 육각형 질화붕소(h-BN) 분말적용 분야: 리튬 배터리 분리막에 고온 내성 코팅을 적용하여 열 폭주를 효과적으로 억제하고, 에너지 저장 변환기용 열전도성 충전재로 사용합니다.이붕산화티타늄(TiB₂)적용 분야: 알루미늄 전해 전지용 습윤성 불활성 음극 소재로, 알루미늄 제련의 전력 소비를 획기적으로 줄이고 전해 전지의 수명을 연장합니다.구리-붕소 합금(CuB)용도: 에너지 저장 장치 및 신에너지 자동차의 리드 프레임에 사용되는 고출력 구리 버스바용 합금 개량 첨가제로, 구리의 강도와 내열성을 향상시킵니다.이붕화알루미늄(AlB₂)적용 분야: 자동차 알루미늄 합금 휠 허브 및 섀시와 같은 경량 구조 부품용 강화 입자로, 알루미늄 기지 복합재의 내마모성 및 강성을 향상시킵니다.페로붕소 합금(FeB, 붕소 함량 17~20%)용도: 신에너지 차량용 고강도 기어강 및 베어링강의 미량합금 개량제로, 강재의 경화성을 향상시킵니다.

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고정밀 가공, 특수 절삭 공구 및 표면 엔지니어링

고정밀 가공, 특수 절삭 공구 및 표면 엔지니어링대상 고객: 초경질 공구 제조업체, 정밀 금형 제작업체, 태양광 실리콘 웨이퍼 가공업체, PVD/CVD 코팅 업체3N 비정질 붕소 분말용도: 특수 합금의 표면 처리를 위한 고활성 붕소화제로, 가공물 표면에 초경질 붕화물 층을 형성하여 기계 부품의 내마모성을 기하급수적으로 향상시킵니다.입방정 질화붕소(c-BN) 단결정/미세분말적용 분야: 담금질강, 고온 합금 및 신에너지 자동차 변속기 부품을 포함한 난삭성 철금속의 정밀 가공 및 연삭용 초경질 절삭 공구 제작.탄화붕소(B₄C)용도: 대형 태양광 실리콘 잉곳 절삭용 연마재, 사파이어 기판 및 반도체 웨이퍼용 초정밀 래핑 및 연마재.이붕화티타늄(TiB₂) / 이붕화크롬(CrB₂)적용 분야: 산업용 절삭 공구용 내마모성 PVD 코팅, 정밀 공구 표면의 부식 방지 및 내마모성 코팅.

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야금, 특수 유리 및 내화 재료

야금, 특수 유리 및 내화 재료주요 고객: 특수강 공장, 비철금속 제련소, 고급 특수 유리 제조업체(광섬유 인발 유리 및 광전자 유리)페로붕소 합금(FeB, 붕소 함량 17~20%)용도: 고강도 구조용 강재, 중하중 지지용 강재 및 영구 자석 강재 제련 시 탈산제 및 결정립 미세화제로 사용되어 강재의 경화성을 크게 향상시킵니다.지르코늄 디보라이드(ZrB₂)적용 분야: 유리 섬유 성형용 고온 내화 금형 및 특수 유리 생산용 고온 전극에 사용되며, 탁월한 산화 저항성과 용융 야금 재료에 의한 침식 저항성을 특징으로 합니다.다양한 종류의 사전 합금된 붕소 분말(FeB / NiB / CuB / ZrB / MoB / CoB)용도: 고급 비철금속 및 특수 합금 제련용 개량 첨가제 또는 분말 야금 성형용 원료. 맞춤형 붕소 함량 및 정밀한 입자 크기 분포는 요청 시 제공 가능합니다.

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첨단 기타 응용 분야 (과학 기기 / 초전도체 / 화장품 / 정밀 화학)

첨단 기타 응용 분야 (과학 기기 / 초전도체 / 화장품 / 정밀 화학)란타넘 헥사보라이드(LaB₆) / 세륨 헥사보라이드(CeB₆)응용 분야: 투과 전자 현미경(TEM) 및 주사 전자 현미경(SEM)의 전자총용 음극 재료, 심우주 탐사선용 고온 장수명 전자 음극.마그네슘 디보라이드(MgB₂)응용 분야: 상업적으로 활용 가능한 중온 초전도 소재로, 의료용 MRI 스캐너용 저비용 초전도 자석 코일 및 도시형 초전도 전력 전송 케이블 제작에 사용됩니다.초미세 고순도 육방정계 질화붕소(h-BN) 분말용도: 고급 화장품(콤팩트, 아이섀도우 등)에 사용되는 프리미엄 매트 파우더로, 실키한 질감과 자연스러운 커버력을 선사합니다.

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FAQ: 주요 질문에 대한 빠르고 명확한 답변.

보론허브는 기술 중심의 첨단 소재 기업입니다. 홍콩에 본사를 두고 선전에 운영 사무소를, 중국 본토에 규정을 준수하는 생산 기지를 보유하고 있습니다. 당사는 고순도 붕소 정제 및 붕소 동위원소 분리 핵심 기술을 자체적으로 확보하고 있으며, 공인된 외부 시험 기관과 협력하여 자체 생산 라인을 운영하고 있습니다....
당사의 핵심 제품군은 크게 두 가지 그룹으로 나뉩니다. * 고순도 원소 붕소(6N 결정질 붕소, 3N 비정질 붕소); * 전 스펙트럼 붕소 동위원소(원소 ¹⁰B, 원소 ¹¹B, 농축 붕산-¹⁰B, 농축 붕산-¹¹B, 농축 삼불화붕소-¹¹B). 보조 제품으로는 질화붕소, 탄화붕소, 희토류 육붕화물 및 전이 금속 붕화물을 포함한 기능성 붕화물...
원자재는 공급망 전반에 걸쳐 완벽한 추적성을 보장하는 중국 내 규정을 준수하는 염호 붕소 광석 기지에서 조달됩니다. 당사는 장기적으로 전 세계 고객의 안정적인 대량 주문을 충족할 수 있는 충분한 생산 능력을 유지하고 있습니다.
모든 제품은 공식 CAS 등록 번호와 일치합니다. 예를 들어, 결정질 붕소는 CAS 7440-42-8, 탄화붕소는 CAS 12069-32-8입니다. 고객의 인증 신청을 위해 CAS 문서를 주문과 함께 제공해 드릴 수 있습니다.
당사의 국내 제조 시설은 정부 당국에 기밀 시설로 등록되어 있으며 엄격한 출입 통제가 시행되고 있어 외부 견학이나 현장 실사가 불가능합니다. 이로 인해 불편을 드려 죄송합니다. 고객사의 자격 심사에 필요한 모든 품질 검사 및 규정 준수 관련 서류는 온라인으로 제공 가능합니다.
궁금한 점이 해결되지 않으면 기술 영업팀에 문의하여 일대일 상담을 받으십시오.
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이 FAQ 모음은 제품 선택, 기술 사양, 수출 규정 준수 및 주문 절차에 대한 일반적인 문의 사항을 해결하고 원활한 소통을 지원합니다. 콘텐츠는 실제 사양 및 규정을 기반으로 작성되어 고객과의 신뢰를 구축하는 데 도움이 됩니다.

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붕소 특수 가스 합성을 위한 저실리콘 고순도 B4C 과립
Sep 21,2026

붕소 특수 가스 합성을 위한 저실리콘 고순도 B4C 과립

High-Purity Low-Silicon Boron Carbide (B4C) Granules: Silicon Control & Raw-Material Selection for Electronic-Grade Boron-Based Gas Synthesis   BoronHub Technical Note | CAS No. 12069-32-8 | Standard 2-5 mm Granules   In the semiconductor, photovoltaic, display-panel and fine-chemical-synthesis industries, electronic specialty gases impose extremely stringent purity requirements on feedstock materials. When Boron Carbide (B4C) is utilised as a solid boron source to synthesise boron-containing gases such as boron trifluoride (BF3), boron trichloride (BCl₃) and diborane (B₂H₆), impurity control — especially silicon (Si) content — directly governs reaction conversion efficiency, crude-gas purity, distillation load, as well as the application reliability of end-products. Referencing BoronHub’s high-purity boron-carbide product documentation, high-purity B4C is commonly identified under CAS No. 12069-32-8. Its specification framework is built around total boron, total carbon, free B2O3 and metallic / non-metallic impurities. For gas-synthesis feedstock, silicon grading must be precisely matched to the purity tier of downstream gases.   1. Why is silicon (Si) content tightly controlled for gas-synthesis feedstock? During high-emperature halogenation or reduction reactions, trace residual silicon impurities inside boron-carbide feedstock may transform into volatile silicon halides including SiCl4 and SiF4. Once these silicon-bearing species enter the crude-gas stream, they trigger multiple engineering challenges:   Higher distillation-separation difficulty: Certain silicon halides exhibit boiling points close to target boron-based gases. Separation of SiF₄ from BF₃ is particularly difficult under fluorine-system conditions, driving up energy consumption for low-temperature distillation and condensation purification.   Risk of end-product contamination: Residual silicon entering downstream CVD, diffusion or doping processes can alter thin-film stoichiometry, introduce particulate defects, and thereby degrade device electrical performance and production yield.     Equipment & catalyst hazards: Volatile silicon compounds may deposit on cold zones of pipelines, valves or reactors, causing blockages, abrasion or catalyst deactivation, which disrupt continuous stable operation. Accordingly, boron-carbide feedstock for gas synthesis cannot focus merely on total-boron and total-carbon metrics. The upper limit for silicon content should align with target gasproduct purity, reactor configuration and purification capacity, rather than chasing a simplistic “high-purity” label.   2. Technical Specifications of BoronHub Low-Silicon Boron-Carbide Granules BoronHub supplies high-purity low-silicon boron-carbide granules with standard particle size of 2-5 mm, suitable for fixed-bed, packed-bed and selected fluidised reaction systems. While maintaining high total-boron, high total-carbon and low free-B2O₃ performance, our products feature well-defined silicon-content grades. Model No. Total B + C Total B Total C Free B₂O₃ Silicon Si Specification UMBC-LS10 ≥98.50% ≥78.00% ≥18.00% ≤0.30% ≤0.10% UMBC-LS20 ≥98.50% ≥78.00% ≥18.00% ≤0.30% ≤0.20% UMBC-LS30 ≥98.50% ≥78.00% ≥18.00% ≤0.30% ≤0.30% UMBC-LS40 ≥98.50% ≥78.00% ≥18.00% ≤0.30% ≤0.40% UMBC-LS50 ≥98.00% ≥77.00% ≥18.00% ≤0.30% ≤0.50% Note: For industrial-grade gas synthesis or cost-sensitive projects, BoronHub can also deliver custom economy grades with Si < 0.90%. All minimum / maximum values serve as factory acceptance test criteria.   3. Beyond Silicon Grading: Synergistic Importance of Total B, Total C and Free B₂O₃ Silicon control is the core requirement for gas-synthesis feedstock, yet it is not the only parameter. BoronHub’s specification system simultaneously addresses the following indicators: Total B + C ≥98.50%: Guarantees effective boron-carbon content and minimises interference from inert impurities and oxygen on reaction efficiency. Total B ≥78.00%: Secures boron supply per unit feedstock, which improves gas-synthesis conversion rates. Total C ≥18.00%: Preserves B₄C stoichiometric balance for more predictable high-temperature reaction behaviour. Free B₂O₃ ≤0.30%: Mitigates ingress of oxygen and moisture, reducing side-reactions and oxygen-bearing impurities in downstream gases. Together with silicon-content grades, these parameters establish a complete quality-control framework for gas-synthesis raw materials. For gas products including BF3, BCl₃ and B₂H₆, customers can select the optimal low-silicon boron-carbide grade based on reaction pathways, distillation capacity and end-point purity requirements.   4. Engineering Advantages of 25 mm Granules Our standard 2-5 mm granules are not simply screened material; the particle morphology is optimised for gas-solid reaction engineering requirements: Minimise bed maldistribution: Uniform granules stabilise gas distribution and mitigate channeling and localised overheating.   Preserve excellent gas permeability: Deliver stable pressure-drop and reaction contact area within fixed-bed or packed-bed reactors. Reduce dust & entrainment: Compared with fine powders, granular material generates less dust during loading and operation, safeguarding gas purity and simplifying equipment maintenance.   Facilitate moisture-proof handling: When paired with hermetic sealing packaging, it lowers risks of B₂O₃ moisture-absorption and water contamination. Beyond the standard 2-5 mm grade, BoronHub can custom-engineer alternative particle-size ranges and particle-size distributions to match customer reactor geometry, sieve gradation and loading procedures.   5. Quality Assurance, Testing & Supply Capacity For electronic-specialty-gas synthesis clients, BoronHub delivers consistent batch-to-batch performance and scalable supply capacity: Each batch is tested against factory acceptance criteria; COA (Certificate of Analysis) can be provided alongside shipments. Traceelement testing such as ICP-MS is available upon request for target impurities including Fe, Al and Cr. Products are packed in moisture-proof hermetic packaging to minimise moisture exposure during transit and storage. Routine supply can align with steady monthly procurement schedules; packaging and commercial terms can be negotiated separately. Custom sieve-grading, sample testing and technical-document support are available.   6. Commercial Enquiries & Customisation Product pricing is directly correlated to silicon-content grades. Tighter silicon specifications ranging from Si < 0.90 %, < 0.50 %, < 0.40 %, < 0.30 %, < 0.20 % down to < 0.10 % demand stricter raw-material screening, process control and batch-testing protocols. Please contact the BoronHub technical-commercial team to obtain quotations for specific silicon grades, customisation & shipping proposals, COA templates or sieve-gradation datasheets.   BoronHub — High-Purity Low-Silicon BoronCarbide Granules. Controlled, stable and customisable feedstock solutions for electronic-grade boron-based gas synthesis.  
탄화붕소 시장, 2033년까지 2억 8,560만 달러 규모에 도달 전망
Sep 21,2026

탄화붕소 시장, 2033년까지 2억 8,560만 달러 규모에 도달 전망

경량 방탄복, 연마재 및 첨단 세라믹 수요 증가에 힘입어 탄화붕소 시장은 2033년까지 2억 8,560만 달러에 이를 것으로 전망됩니다. 2026년 9월 10일 오전 11시 22분 (중앙유럽시간) | 화학 및 소재 뉴스 출처: Persistence Market Research 탄화붕소 시장 개요연마재, 국방, 첨단 세라믹 및 원자력 에너지 분야 전반에 걸쳐 고성능 소재에 대한 수요 증가에 힘입어 전 세계 탄화붕소 시장이 꾸준히 성장하고 있습니다. Persistence Market Research에 따르면, 이 시장은 2026년 1억 8,140만 달러, 2033년 2억 8,560만 달러에 이를 것으로 예상되며, 2026년부터 2033년까지 연평균 성장률(CAGR)은 6.7%입니다. 2020년 시장 규모는 1억 3,230만 달러였으며, 이는 탄화붕소의 탁월한 경도, 내구성 및 기능적 특성 덕분에 지속적인 수요 증가를 보여줍니다.산업 및 전략적 용도 모두에서 첨단 소재에 대한 수요 증가가 시장 확대를 더욱 촉진하고 있습니다. 연마재 등급의 탄화붕소가 시장을 주도하며 2026년에는 시장 점유율의 약 47%를 차지할 것으로 예상됩니다. 분말 형태가 가장 큰 비중을 차지하며 전체 시장 점유율의 약 58%를 기록하고 있습니다. 아시아 태평양 지역은 세계 시장을 선도하며 제조 역량 확대와 주요 최종 사용자 산업의 견조한 수요에 힘입어 2026년에는 시장 점유율 51%를 차지할 것으로 전망됩니다. 보고서 주요 내용• 세계 탄화붕소 시장 규모: 2026년 1억 8,140만 달러, 2033년까지 2억 8,560만 달러에 이를 것으로 예상, 연평균 성장률 6.7%(2026~2033년).•2020년 시장 가치는 1억 3230만 달러로 평가되었으며, 이는 탄화붕소 소재에 대한 지속적인 수요 증가를 나타냅니다.• 아시아 태평양 지역은 최대 시장으로, 2026년에는 시장 점유율 51%를 차지할 것으로 예상됩니다.•연마재 등급은 여전히 ​​가장 지배적인 등급으로, 2026년에는 매출의 약 47%를 차지할 것으로 예상됩니다.• 분말 형태가 주된 물리적 형태이며, 2026년에는 전체 매출의 약 58%를 차지할 것으로 예상됩니다.•2026년에서 2033년 사이에 1억 420만 달러 규모의 새로운 시장 기회가 창출될 것으로 예상됩니다. 첨단 응용 분야로 인해 탄화붕소 수요가 증가하고 있습니다.고성능 소재에 대한 수요 증가로 인해 다양한 특수 용도 분야에서 탄화붕소에 대한 새로운 기회가 열리고 있습니다. 특히 연마재 분야는 탄화붕소의 시장 점유율 1위에서 알 수 있듯이 매우 중요합니다. 까다로운 산업 현장에서 입증된 탄화붕소의 실적은 지속적인 시장 성장을 뒷받침하고 있습니다. 첨단 세라믹 응용 분야는 또 다른 고성장 부문으로 떠오르고 있습니다. 2025년 3월, 3M의 자회사인 ESK Ceramics는 새로운 초미세 세라믹 제품을 발표했습니다. 탄화붕소 분말(D50)
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